教員総覧 - 辻　勝弘 | 広島市立大学

（最終更新日 : 2024-02-19 15:44:38）

ツジ　カツヒロ Tsuji Katsuhiro
辻　勝弘

所属広島市立大学大学院情報科学研究科システム工学専攻

広島市立大学情報科学部システム工学科

職種助教

メールアドレス

職歴
2007/04/01	広島市立大学大学院情報科学研究科助教
1996/04/01 ～ 2007/03/31	広島市立大学情報科学部助手

学歴
2020/09 (学位取得)	博士 (情報工学)
1996/03 (学位取得)	修士（工学）

資格・免許
2015/01/23	第一種衛生管理者

教育・研究活動状況
教育活動としては，主に物理学概論(オムニバス形式，国際・芸術学部向け)，プログラミングII演習，システム工学実験I ・III，外書講読演習I ・II 等を担当し学生の指導にあたってきた．卒業研究としては毎年1～3名の学生に対して卒業研究を指導し，主に微細MOSFETの容量測定に関するテーマを与え，指導してきた．また，2019年度より微細MOSFETのランダムテレグラフノイズに関する研究を始め（これも卒論のテーマとして与えた），その学生は大学院に進学したため，引き続き指導を行った(当該学生は2021年度3月修了)．　研究活動としては，CBCM(Charge-Based Capacitance Measurement)法を用いた微細MOSFETの容量測定に関する研究と測定評価技術に関する研究を中心に行っている．そして測定された容量からしきい値電圧，フラットバンド電圧，実効チャネル長といったパラメータの抽出を行い，その評価を行っている．また2019年度より微細MOSFETのRTN(Random Telegraph Noise)に関する研究を始め，ノイズの測定とその評価を行っている．

現在の専門分野
電子デバイス・電子機器キーワード(半導体デバイス、集積回路、デバイスモデリング、デバイスシミュレーション、パラメータ抽出)

研究テーマ
1996/04/01	半導体デバイスのモデリングと計測評価技術に関する研究

共同・受託研究希望テーマ
FET，ナノデバイスおよび新構造デバイスの計測評価と測定技術に関する研究

研究課題・受託研究・科研費
2022/06/01 ～ 2024/03/31	0.35um及び1.0umノードのシリコンＭＯＳＦＥＴにおける，1/fノイズ特性の評価国内共同研究

著書・論文歴
論文	Study on effective MOSFET channel length extracted from gate capacitance Japanese J. Appl. Phys. 57,016601-1-016601-7頁 (共著) 2018/01/01
論文	Study on Threshold Voltage Evaluated by Charge-Based Capacitance Measurement IEICE TRANSACTIONS on Electronics VOL.E99-C (NO.4),466-473頁 (共著) 2016/04
論文	Development of Test Structure for Variability Evaluation Using Charge-Based Capacitance Measurement IEICE TRANSACTIONS on Electronics VOL.E97-C (NO.11),1117-1123頁 (共著) 2014/11/01
論文	Reconsideration of Effective Channel Length for Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor Japanese Journal of Applied Physics Vol. 53,064303 (共著) 2014/05
論文	Measurement of Channel Length Variability Proc. IEEE Workshop on Variability Modeling and Characterization at ICCAD (共著) 2013/11
全件表示（22件）

学会発表
2021/10/23	微細 p-channel MOSFET における RTN の解析 (2021 年度(第 72 回)電気・情報関連学会中国支部連合大会)
2020/10/24	65 nm MOSFET におけるランダムテレグラフノイズの測定 (2020年度（第71回）電気・情報関連学会中国支部連合大会)
2014/03	Comparison of Channel Length Extracted from Gate Capacitance with That Extracted from Channel Resistance (Proc. Int. Conf. on Microelectronic Test Structures)
2012/11	Difference in Threshold-Voltage Variability Caused by Measurement Method (Proc. IEEE Workshop on Variability Modeling and Characterization at ICCAD)
2012/03	gmばらつきに対する局所VTHゆらぎの影響 (応用物理学関係連合講演会)
全件表示（23件）

所属学会
1996/08 ～	応用物理学会
1995/08 ～	電子情報通信学会

公開講座
2012/11	研究室見学（11月27日　祇園北高校）講座種別：公開講座
2011/11	研究室紹介（11月30日、祇園北高校）講座種別：その他